白荆回廊-百里屠苏
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 20% | 暴击率 | 15% |
| 射程 | 近 | ||
| 战术移动 | 7秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 83% | 109% | 82% |
| S1 | 91% | 119% | 90% |
| S2 | 95% | 124% | 95% |
| S3 | 111% | 146% | 112% |
| S4 | 123% | 162% | 126% |
| S5 | 127% | 168% | 131% |
| S6 | 131% | 172% | 134% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 饱和式救援同调者受到治疗后，其5秒内受到的治疗效果额外增加30%（等级1时）/45%（等级2时）/60%（等级3时），每10秒最多触发一次先破后立战斗中每累计失去自身10%最大生命值时，使自身获得2.5（等级1时）/5.0（等级2时）/7.5%（等级3时）额外伤害提升，该效果最多叠加10层，效果持续整场战斗 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| S1 | 73 | 80 | 100 | 78 | 78 |
| S2 | 100 | 120 | 179 | 113 | 113 |
| S3 | 100 | 120 | 179 | 113 | 113 |
| S4 | 113 | 140 | 218 | 130 | 130 |
| S5 | 126 | 160 | 258 | 148 | 148 |
| S6 | 126 | 160 | 258 | 148 | 148 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 定班提速线+++ |
| 效果 | 在高级研发室晚班，耗时-15% |
| 祛邪主动技能 | LV12【祛邪】技能形态非重明状态下可使用施放技能时[损耗]自身50%当前生命值，获得50%最大生命值的护盾和10层[石中火]；对范围内的所有敌方地面单位共造成750%最终攻击的炎元素伤害+1000%体质的炎元素伤害，同时附带破坏2段格挡条效果；且「梦中身」会同时造成750%最终攻击的炎元素伤害+1000%体质的炎元素伤害，并附带破坏2段格挡条效果【祛邪·重明】技能形态重明状态下可使用，该技能可攻击空中目标对范围内的所有敌方单位共造成2500%最终攻击的炎元素伤害+2500%体质的炎元素伤害，同时附带破坏5段格挡条效果，对当前生命值低于50%的敌方单位伤害提高30%【祛邪】的可使用技能次数与【祛邪·重明】独立计算 |
|---|
| 灼见·毁殇主动技能 | LV12【毁殇】自动技能形态 施放冷却：18秒非重明状态下可使用施放技能时[损耗]自身25%当前生命值，获得20%最大生命值的护盾和8层[石中火]；对自身前方半径300扇形范围内所有敌方地面单位造成625%最终攻击的炎元素伤害+750%体质的炎元素伤害，同时附带破坏2段格挡条效果；且「梦中身」会同时造成625%最终攻击的炎元素伤害+750%体质的炎元素伤害，并附带破坏2段格挡条效果【毁殇·重明】自动技能形态 施放冷却：18秒重明状态下可使用施放技能时不再[损耗]自身生命值，对自身前方半径300扇形范围内所有敌方地面单位造成1750%最终攻击的炎元素伤害+1750%体质的炎元素伤害，同时附带破坏4段格挡条效果【灼见】主动技能形态非重明状态下可使用指挥「梦中身」冲刺到目标位置，并对冲刺路径上所有敌方地面单位造成40%最终攻击的炎元素伤害+50%体质的炎元素伤害 |
|---|
| 业火重明异核技能 | LV6仅非重明状态下可使用技能开启后会收回「梦中身」，对周围800半径范围内所有敌方单位共造成2500%最终攻击的炎元素伤害+2500%体质的炎元素伤害，并在技能释放时获得额外50%当前[石中火]层数，通过该方式获得的石中火不受特性层数上限影响；随后进入持续30秒的「重明」状态，状态持续期间，自身当前每有1层[石中火]，提高1%【毁殇·重明】伤害，「重明」状态结束时，失去自身所有[石中火]层数 |
|---|
| 焚焰血戮战斗特性 | 焚焰血戮战斗特性普通攻击射程225攻击速度0.55次每秒单体 格挡条破坏1【非重明状态】技能形态攻击当前目标造成46%最终攻击的炎元素伤害+46%体质的炎元素伤害，且「梦中身」会协同攻击造成46%最终攻击的炎元素伤害+46%体质的炎元素伤害【重明状态】技能形态攻击当前目标造成138%最终攻击的炎元素伤害+138%体质的炎元素伤害战斗特性战斗开始时会召唤「梦中身」，「梦中身」视为召唤物，且会跟随本体施放部分技能本体施放部分技能会获得[石中火]层数（每层提升1%基础攻击力；当生命值为100%时每层提升0.15%基础减伤，随生命值比例降低基础减伤提升，当生命值为30%或以下时每层提升0.5%基础减伤）本体普通攻击造成暴击时回复1秒【毁殇】【毁殇·重明】施放冷却，该效果每2秒最多触发一次整场战斗过程中，当本体累积减少的生命值达到最大生命值的一定比率时，会依次解封自身能力Ⅰ：比率达到50%时解封，获得20%暴击率提升Ⅱ：比率达到100%时解封，获得20%暴击伤害提升；且【业火重明】当前冷却时间减少50秒，仅非重明状态可以触发，每场战斗最多触发一次Ⅲ：比率达到150%时解封，【毁殇】【毁殇·重明】造成伤害时，自身每有1层[石中火]，忽略目标1%基础减伤异核I级解锁：重明状态结束后，获得15层[石中火]异核III级解锁：场上每有一名炎元素同调者（包含自己），百里屠苏造成的伤害提高6% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1600 海隅点数 4 贫质合金 |
| S2 | 4000 海隅点数 9 原旋动力机 6 贫质合金 |
| S3 | 9600 海隅点数 6 次生装置 4 储源合金 6 苍青薄片 |
| S4 | 16000 海隅点数 9 多矩推进器 6 储源合金 4 靛石 |
| S5 | 24000 海隅点数 10 多矩推进器 5 稳态合金 6 靛石 4 星砂 |
| S6 | 32000 海隅点数 4 “乌云盖雪” 10 稳态合金 5 黛晶 6 星砂 |
| 总计 | 87200 海隅点数 9 原旋动力机 6 苍青薄片 10 贫质合金 6 次生装置 10 星砂 10 靛石 10 储源合金 19 多矩推进器 5 黛晶 15 稳态合金 4 “乌云盖雪” |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 苍青薄片 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 贫质合金 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 次生装置 3 火山雪 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 复色基粒 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 靛石 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 稳态合金 4 星砂 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 4 多矩推进器 6 复色基粒 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 6 稳态合金 8 复色基粒 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 2 万顷岩 4 黛晶 |
| LV11 | 20000 海隅点数 500 基础硅片·近战 8 训练芯片组·近战 |
| LV12 | 30000 海隅点数 10 训练芯片组·近战 4 极叠磁导插件 8 卷礁 1 黑光 |
| 总计 | 101700 海隅点数 2500 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 29 训练芯片组·近战 3 火山雪 3 苍青薄片 4 贫质合金 3 次生装置 4 星砂 18 复色基粒 6 靛石 4 多矩推进器 8 卷礁 4 黛晶 8 稳态合金 4 极叠磁导插件 2 万顷岩 1 黑光 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 4 复合磁导插件 6 次生装置 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 6 黛晶 8 星砂 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 2 熵化合金 4 多矩推进器 |
| LV11 | 20000 海隅点数 500 基础硅片·近战 8 训练芯片组·近战 3 相位链 6 复合磁导插件 |
| LV12 | 30000 海隅点数 10 训练芯片组·近战 4 乌珀 8 稳态合金 1 黑光 |
| 总计 | 101700 海隅点数 2500 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 29 训练芯片组·近战 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 10 次生装置 14 星砂 4 储源合金 10 复合磁导插件 4 多矩推进器 2 光子质 6 黛晶 8 稳态合金 3 相位链 4 乌珀 2 熵化合金 1 黑光 |
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