白荆回廊-唐路遥
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 30% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 近 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 格挡 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 102% | 77% | 62% |
| S1 | 112% | 84% | 68% |
| S2 | 117% | 88% | 71% |
| S3 | 138% | 103% | 84% |
| S4 | 153% | 114% | 93% |
| S5 | 158% | 118% | 96% |
| S6 | 163% | 122% | 99% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 10% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 战斗反射同调者受到直接伤害时，会获得自身1000%（等级1时）/2000%（等级2时）/3000%（等级3时）最高刻印属性的护盾，每30秒最多触发一次，场上除自身外每多一名方块职业类型的同调者，该效果减少50%昂扬斗志·方块·α型造成物理伤害时，提升10%（等级1时）/15%（等级2时）/20%（等级3时）额外伤害，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【昂扬斗志·方块·β型】不叠加。干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| S1 | 62 | 48 | 62 | 69 | 40 |
| S2 | 105 | 64 | 105 | 126 | 40 |
| S3 | 105 | 64 | 105 | 126 | 40 |
| S4 | 126 | 72 | 126 | 155 | 40 |
| S5 | 148 | 80 | 148 | 184 | 40 |
| S6 | 148 | 80 | 148 | 184 | 40 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 辅助提速+++ |
| 效果 | 在中央控制室辅助管理【初级研发室】所有自动生产线耗时-3% |
| 压力上升中…主动技能 | LV12主动[嘲讽]周围8名敌人攻击自己（优先[嘲讽]靠近自己的敌方单位），受[嘲讽]的目标对自身造成的伤害降低30%~50%（[防御依赖]），持续15秒，同时获得自身38%最大生命值的护盾 |
|---|
| 理智崩断中…自动技能 | LV12每次普通攻击或者受击时积累1点[愤怒值]，[愤怒值]达20点后对正前方扇形范围内所有敌方进行反复抽打，造成2625%最终攻击的物理伤害；若目标受到自身[嘲讽]效果影响，则受到的伤害提高30%，该伤害视为普通攻击伤害激活格挡能力时，对目标额外造成100%格挡强度的物理伤害 |
|---|
| 爱咋咋地吧！异核技能 | LV6豪饮一瓶，对范围内的敌人总计造成1500%最终攻击的物理伤害，之后攻击速度提升60%，格挡强度提升100%且格挡值回复速度提升100%，自身技能和特性产生的护盾额外提高10%，积累[愤怒值]效率提升100%，持续15秒 |
|---|
| 一天都不休？战斗特性 | 一天都不休？战斗特性普通攻击射程200攻击速度0.59次每秒单体攻击面前的目标造成204%最终攻击的物理伤害战斗特性生命值低于70%，激活格挡能力，且受到的治疗50%转化为等额护盾，若15秒内未受到攻击，消耗技能和特性产生的所有护盾为唐路遥回复等额生命值，并退出格挡状态激活格挡能力时，自身技能和特性产生的护盾提升20%，积累[愤怒值]效率提高100%异核I级解锁：激活格挡能力时，额外获得自身40%最大生命值的护盾，且15秒内未受到攻击时，技能和特性产生的所有护盾不会消失异核III级解锁：生命值低于90%时激活格挡能力，且自身技能和特性产生的护盾提升至30% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1000 海隅点数 2 贫质合金 |
| S2 | 2500 海隅点数 6 火山雪 4 单级磁导插件 |
| S3 | 6000 海隅点数 4 星砂 2 二元磁导插件 4 贫质合金 |
| S4 | 10000 海隅点数 6 卷礁 4 二元磁导插件 2 储源合金 |
| S5 | 15000 海隅点数 8 卷礁 3 复合磁导插件 4 储源合金 2 复色基粒 |
| S6 | 20000 海隅点数 2 万顷岩 8 复合磁导插件 3 稳态合金 4 复色基粒 |
| 总计 | 54500 海隅点数 4 单级磁导插件 6 火山雪 6 贫质合金 6 二元磁导插件 4 星砂 6 复色基粒 6 储源合金 11 复合磁导插件 14 卷礁 3 稳态合金 2 万顷岩 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 4 次生装置 6 星砂 4 储源合金 2 光子质 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 贫质合金 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 储源合金 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 4 黛晶 6 二元磁导插件 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 10 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 4 黛晶 |
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