白荆回廊-老板
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 15% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 远 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 54% | 84% | 95% |
| S1 | 59% | 92% | 104% |
| S2 | 62% | 96% | 109% |
| S3 | 72% | 113% | 128% |
| S4 | 81% | 126% | 142% |
| S5 | 83% | 130% | 147% |
| S6 | 86% | 134% | 152% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 昂扬斗志·菱形·α型造成物理伤害时，提升10%（等级1时）/15%（等级2时）/20%（等级3时）额外伤害，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【昂扬斗志·菱形·β型】不叠加。干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果意志永存若因自身的主动技能/异核技能导致退场，则本场战斗结束前，所有友方同调者获得4（等级1时）/7（等级2时）/10（等级3时）层【激励】激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| S1 | 58 | 48 | 58 | 58 | 58 |
| S2 | 94 | 64 | 94 | 94 | 94 |
| S3 | 94 | 64 | 94 | 94 | 94 |
| S4 | 112 | 72 | 112 | 112 | 112 |
| S5 | 130 | 80 | 130 | 130 | 130 |
| S6 | 130 | 80 | 130 | 130 | 130 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 提速线+ |
| 效果 | 在高级研发室，耗时-5% |
| 喵主子主动技能 | LV12 |
|---|
| 特制小鱼干自动技能 | LV12 |
|---|
| 暴鱼倾盆异核技能 | LV6开启暴走模式，随机乱射小鱼干，总计发射100条小鱼干，预计总共可造成5400%最终攻击的物理伤害技能结束后将直接进入重伤状态战术家特性：开战时异核充能增加50% |
|---|
| 动态视力战斗特性 | 动态视力战斗特性普通攻击射程800攻击速度0.67次每秒单体 对空向当前目标发射小鱼干造成150%最终攻击的物理伤害战斗特性可以攻击空中目标异核I级解锁：重新上场的冷却时间缩短50%异核III级解锁：异核技能伤害提高50% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1000 海隅点数 2 贫质合金 |
| S2 | 2500 海隅点数 6 贫质合金 4 原旋动力机 |
| S3 | 6000 海隅点数 4 储源合金 2 次生装置 |
| S4 | 10000 海隅点数 6 稳态合金 4 次生装置 |
| S5 | 15000 海隅点数 8 稳态合金 3 多矩推进器 |
| S6 | 20000 海隅点数 2 熵化合金 8 多矩推进器 |
| 总计 | 54500 海隅点数 4 原旋动力机 8 贫质合金 6 次生装置 4 储源合金 11 多矩推进器 14 稳态合金 2 熵化合金 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 自旋因子 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 单级磁导插件 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 星砂 3 原旋动力机 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 靛石 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 复色基粒 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·近战 2 复合磁导插件 4 次生装置 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 20 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 8 训练芯片·近战 4 单级磁导插件 3 原旋动力机 3 自旋因子 4 次生装置 3 星砂 6 复色基粒 4 靛石 2 复合磁导插件 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 原旋动力机 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 苍青薄片 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 储源合金 3 单级磁导插件 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 星砂 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 次生装置 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 黛晶 4 二元磁导插件 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 单级磁导插件 3 原旋动力机 4 苍青薄片 4 二元磁导插件 6 次生装置 4 星砂 3 储源合金 2 黛晶 |
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