白荆回廊-芙蕖
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 5% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 不攻击 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 治愈 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 70% | 70% | 111% |
| S1 | 77% | 77% | 121% |
| S2 | 80% | 81% | 126% |
| S3 | 94% | 96% | 148% |
| S4 | 105% | 107% | 164% |
| S5 | 109% | 112% | 170% |
| S6 | 112% | 115% | 174% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础专精 | 5% | |
| 项目III | 阶段I | 基础治愈力 | 50 |
| 阶段II | 基础治愈力 | 50 | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 及时援助·菱形·β型治疗效果增加20%（等级1时）/35%（等级2时）/50%（等级3时），位于【潮湿环境】时，提升幅度翻倍。和【及时援助·菱形·α型】不叠加潮湿环境：水元素地形蒸发速度减缓，炎元素地形消失速度加快部分角色技能在该环境下可以直接生成霜元素地形部分刻印技能在潮湿环境下能发挥更强的效果沉浸舞台同调者20秒内未造成伤害时，友方同调者元素伤害额外提高30%（等级1时）/60%（等级2时）/100%（等级3时），该效果最多持续15秒，同名效果无法叠加 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| S1 | 62 | 62 | 62 | 86 | 70 |
| S2 | 86 | 86 | 86 | 158 | 110 |
| S3 | 86 | 86 | 86 | 158 | 110 |
| S4 | 98 | 98 | 98 | 194 | 130 |
| S5 | 110 | 110 | 110 | 230 | 150 |
| S6 | 110 | 110 | 110 | 230 | 150 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 定班提速线++ |
| 效果 | 在初级研发室早班，耗时-10% |
| 掀翻舞台主动技能 | LV12切换舞台效果，使所有同调者提升20%[同调者暴击率]和20%[同调者专精]，同时使指令冷却的回复速度和自动技能的充能速度加快50%，持续20秒同一时间只能激活一种舞台效果 |
|---|
| 片刻沉溺主动技能 | LV12被动：每隔5秒治疗所有友方同调者125%治愈力的生命值主动：切换舞台效果，被动治疗同调者生命值的间隔降低一半，并为目标额外增加9%~15%（[防御依赖]）[同调者基础减伤]，持续20秒同一时间只能激活一种舞台效果 |
|---|
| 安可时间异核技能 | LV6无消耗再次激活上一个舞台效果，且该舞台效果获得「安可」状态：舞台效果的治疗量提高60%；属性加成、资源回复的效果提高100% |
|---|
| 反向应援战斗特性 | 反向应援战斗特性普通攻击射程-攻击速度-不攻击不会攻击敌人战斗特性在场时，使场上所有同调者提升15%[同调者攻击]司危在场时，场上友方同调者的基础攻击力额外提升5%异核I级解锁：切换舞台效果后，获得5秒「安可」状态（当前舞台效果的治疗量提高；属性加成、资源回复的效果提高）异核III级解锁：【掀翻舞台】和【片刻沉溺】的舞台效果激活持续期间，对其他友方同调者造成治疗时，额外为目标回复4%异核充能进度 |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1200 海隅点数 3 贫质合金 |
| S2 | 3000 海隅点数 8 贫质合金 5 火山雪 |
| S3 | 7200 海隅点数 5 储源合金 3 星砂 5 原旋动力机 |
| S4 | 12000 海隅点数 8 稳态合金 5 星砂 3 次生装置 |
| S5 | 18000 海隅点数 9 稳态合金 4 卷礁 5 次生装置 3 二元磁导插件 |
| S6 | 24000 海隅点数 3 熵化合金 9 卷礁 4 多矩推进器 5 二元磁导插件 |
| 总计 | 65400 海隅点数 5 原旋动力机 5 火山雪 11 贫质合金 8 二元磁导插件 8 次生装置 8 星砂 5 储源合金 4 多矩推进器 13 卷礁 17 稳态合金 3 熵化合金 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 4 次生装置 6 星砂 4 储源合金 2 光子质 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 贫质合金 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 储源合金 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 4 黛晶 6 二元磁导插件 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 10 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 4 黛晶 |
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