白荆回廊-北洛
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 15% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 远 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 60% | 97% | 107% |
| S1 | 66% | 106% | 117% |
| S2 | 69% | 111% | 122% |
| S3 | 81% | 130% | 144% |
| S4 | 91% | 145% | 160% |
| S5 | 94% | 150% | 166% |
| S6 | 97% | 154% | 170% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
| 阶段II | 基础攻击速度 | 0.1次每秒 | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 战术强化使用的主动技能或异核技能是增益/召唤/回复型时，使全体友方同调者获得2层激励。通过该方式获得的【激励】层数不超过4（等级1时）/7（等级2时）/10（等级3时）层激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果势如破竹·对空技能命中少于5个目标时，对其中的空中目标造成20%（等级1时）/30%（等级2时）/40%（等级3时）额外伤害 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| S1 | 73 | 80 | 86 | 86 | 82 |
| S2 | 100 | 120 | 139 | 139 | 126 |
| S3 | 100 | 120 | 139 | 139 | 126 |
| S4 | 113 | 140 | 166 | 166 | 148 |
| S5 | 126 | 160 | 192 | 192 | 170 |
| S6 | 126 | 160 | 192 | 192 | 170 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 提速线++ |
| 效果 | 在初级研发室，耗时-10% |
| 无人签收主动技能 | LV12朝目标位置投送隔离件，对半径250范围内的目标造成1250%最终攻击的物理伤害，随后隔离件会展开半径300范围较大强度的球形屏障，抵御敌方投射物，并对附近敌人间歇性发射激光，存在20秒，持续时间内总计造成630%最终攻击的物理伤害，可以对敌方屏障造成较高破坏力 |
|---|
| 定时派送自动技能 | LV12普通攻击命中时额外投送一个定时件，触发3次后，下一次额外追加投送一个加急件定时件：持续[嘲讽]附近的敌人优先攻击定时件，10秒后自动引爆，被击碎将提前引爆，对半径200范围内的敌人造成1500%最终攻击的物理伤害加急件：朝目标快速发射7枚子弹，存在20秒，持续时间内内总计造成1700%最终攻击的物理伤害 |
|---|
| 鹿路宅急送异核技能 | LV6对直线范围内的目标造成3000%最终攻击的物理伤害并为全体友方同调者提升25%[同调者攻击]，持续30秒；拦截敌方投射物，同时沿途投送8箱快递战术家特性：开战时异核充能增加50% |
|---|
| 末日信使战斗特性 | 末日信使战斗特性普通攻击射程800攻击速度0.40次每秒单体 对空朝目标投送“普通件”，命中目标造成250%最终攻击的物理伤害，“普通件”会展开成小型炮台向附近敌人发射子弹，持续存在7秒，持续时间内总计造成270%最终攻击的物理伤害战斗特性快件为召唤物技能可以产生各种类型的快件异核I级解锁：主动技能【无人签收】可使用次数+1；“普通件”和“加急件”的伤害额外提高35%异核III级解锁：除“定时件”以外的所有快件箱存在时间增加5秒 |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1600 海隅点数 4 贫质合金 |
| S2 | 4000 海隅点数 9 贫质合金 6 火山雪 |
| S3 | 9600 海隅点数 6 储源合金 4 星砂 6 原旋动力机 |
| S4 | 16000 海隅点数 9 稳态合金 6 星砂 4 次生装置 |
| S5 | 24000 海隅点数 10 稳态合金 5 卷礁 6 次生装置 4 二元磁导插件 |
| S6 | 32000 海隅点数 4 熵化合金 10 卷礁 5 多矩推进器 6 二元磁导插件 |
| 总计 | 87200 海隅点数 6 原旋动力机 6 火山雪 13 贫质合金 10 二元磁导插件 10 次生装置 10 星砂 6 储源合金 5 多矩推进器 15 卷礁 19 稳态合金 4 熵化合金 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 4 复合磁导插件 6 次生装置 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 6 黛晶 8 星砂 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 2 熵化合金 4 多矩推进器 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 10 次生装置 14 星砂 4 储源合金 4 复合磁导插件 4 多矩推进器 2 光子质 6 黛晶 2 熵化合金 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 贫质合金 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 储源合金 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 4 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 |
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