白荆回廊-阳铃
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 5% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 远 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 治愈 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 71% | 70% | 110% |
| S1 | 78% | 77% | 120% |
| S2 | 81% | 81% | 125% |
| S3 | 95% | 96% | 147% |
| S4 | 106% | 107% | 163% |
| S5 | 110% | 112% | 169% |
| S6 | 113% | 115% | 173% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
| 阶段II | 基础专精 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 冻结延长对敌人施加【冻结状态】时，延长20%冻结状态的时间，且使全体友方同调者获得1层【激励】。每10秒最多触发一次。通过该方式获得的激励层数不超过4（等级1时）/7（等级2时）/10（等级3时）层冻结状态：处于该状态的敌方单位无法行动，并且在受到霜元素伤害时，有一定几率直接被击败激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果核心充能·菱形·α型初始异核充能回复12（等级1时）/18（等级2时）/24（等级3时）秒，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【核心充能·菱形·β型】不叠加干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| S1 | 62 | 62 | 66 | 82 | 70 |
| S2 | 86 | 86 | 98 | 146 | 110 |
| S3 | 86 | 86 | 98 | 146 | 110 |
| S4 | 98 | 98 | 114 | 178 | 130 |
| S5 | 110 | 110 | 130 | 210 | 150 |
| S6 | 110 | 110 | 130 | 210 | 150 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 提速线++ |
| 效果 | 在初级研发室，耗时-10% |
| 早春祷歌主动技能 | LV12对全体友方同调者进行「持续治疗」，每秒治疗目标68%治愈力的生命值，持续15秒 |
|---|
| 冬的挽留自动技能 | LV12在指定位置制造半径300范围的暴风雪区域，每0.5秒对区域内的敌人造成158%最终攻击的霜元素伤害，持续10秒 |
|---|
| 鼬的报恩异核技能 | LV6持续施法对全场生命值百分比最低的三名友方同调者进行治疗，每秒治疗目标240%治愈力的生命值，持续6秒同时提升全场友方同调者30%[同调者攻击速度]，持续10秒 |
|---|
| 与维瑟尔约定战斗特性 | 与维瑟尔约定战斗特性普通攻击射程800攻击速度0.60次每秒单体 对空向当前目标发射雪球或冰锥，造成165%最终攻击的霜元素伤害目标在自身近战范围内时，下次普通攻击替换为雪鼬扫尾，造成300%最终攻击的霜元素伤害并以1级[位移强度]击退范围内的所有敌人 (每20秒最多触发一次)战斗特性攻击对敌人附加移动速度降低70%效果，持续3秒异核I级解锁：治愈力提升25%，同时延长5秒主动技能【早春祷歌】的持续时间异核III级解锁：受到特性减速效果影响的单位遭受的伤害提高10% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1200 海隅点数 3 贫质合金 |
| S2 | 3000 海隅点数 8 苍青薄片 5 自旋因子 |
| S3 | 7200 海隅点数 5 靛石 3 复色基粒 5 单级磁导插件 |
| S4 | 12000 海隅点数 8 黛晶 5 复色基粒 3 二元磁导插件 |
| S5 | 18000 海隅点数 9 黛晶 4 光子质 5 二元磁导插件 3 次生装置 |
| S6 | 24000 海隅点数 3 乌珀 9 光子质 4 复合磁导插件 5 次生装置 |
| 总计 | 65400 海隅点数 5 单级磁导插件 5 自旋因子 8 苍青薄片 3 贫质合金 8 二元磁导插件 8 次生装置 8 复色基粒 5 靛石 4 复合磁导插件 13 光子质 17 黛晶 3 乌珀 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 原旋动力机 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 苍青薄片 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 储源合金 3 单级磁导插件 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 星砂 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 次生装置 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 黛晶 4 二元磁导插件 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 4 稳态合金 6 星砂 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 6 光子质 8 次生装置 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 单级磁导插件 3 原旋动力机 4 苍青薄片 4 二元磁导插件 14 次生装置 10 星砂 3 储源合金 6 光子质 2 黛晶 4 稳态合金 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 单级磁导插件 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 火山雪 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 复色基粒 3 苍青薄片 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 储源合金 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 二元磁导插件 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 卷礁 4 靛石 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 4 光子质 6 储源合金 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 单级磁导插件 4 火山雪 3 苍青薄片 6 二元磁导插件 3 复色基粒 4 靛石 10 储源合金 2 卷礁 4 光子质 |
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