白荆回廊-莫红袖
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 40% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 近 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 格挡 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 146% | 50% | 82% |
| S1 | 160% | 55% | 89% |
| S2 | 168% | 57% | 93% |
| S3 | 198% | 68% | 108% |
| S4 | 220% | 76% | 120% |
| S5 | 229% | 79% | 124% |
| S6 | 235% | 81% | 127% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 10% |
| 阶段II | 基础体质 | 10% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础专精 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 祝福区域处于【雾化区域】中的友方同调者，每秒回复2%最大生命值，额外伤害提升10.0%（等级1时）/30.0%（等级2时）/50.0%（等级3时）雾化区域：由水元素区域和炎元素（或者炎元素区域和水元素）反应生成的区域，该区域内友方同调者受到的伤害降低50%生机盎然·方块·α型同调者额外受治疗效果提升15%（等级1时）/23%（等级2时）/30%（等级3时），位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【生机盎然·方块·β型】不叠加干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| S1 | 100 | 80 | 82 | 82 | 64 |
| S2 | 179 | 120 | 126 | 126 | 73 |
| S3 | 179 | 120 | 126 | 126 | 73 |
| S4 | 218 | 140 | 148 | 148 | 78 |
| S5 | 258 | 160 | 170 | 170 | 82 |
| S6 | 258 | 160 | 170 | 170 | 82 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 储量扩展++ |
| 效果 | 在初级研发室，仓储+10% |
| 当关主动技能 | LV12对自身周围半径300范围内的敌人造成1870%最终攻击的炎元素伤害，并将命中的单位以以2级[位移强度]向自身拖拽施放后立即回复全部格挡值，格挡强度提升50%，格挡值回复速度提升100%，普通攻击对半径200范围内敌人造成250%最终攻击的炎元素伤害，攻击速度降低18%，对目标额外造成150%格挡强度的炎元素伤害，持续20秒 |
|---|
| 调虎离山主动技能 | LV12被动：每隔15秒获得盾牌格挡效果，10秒内受到的伤害额外减少50%，效果持续期间普通攻击会对附近敌人造成100%格挡强度的炎元素伤害主动：朝指定方向推出巨大盾牌，以以3级[位移强度]击退沿途敌人并持续对附近敌人造成伤害，每次造成78%最终攻击的炎元素伤害盾牌将在目标位置形成较大强度的屏障，阻挡敌人行进并抵御敌对投射物，并每隔2秒[嘲讽]一次周围敌人，持续15秒 |
|---|
| 百兽辟易异核技能 | LV6对半径600范围内的敌人造成4500%最终攻击的炎元素伤害，使命中的敌人攻击力降低25%，持续20秒，并形成一个壁垒，同时将除首领外的所有敌人以3级[位移强度]牵引进壁垒内，壁垒内部产生炎元素区域壁垒可以阻止外界敌人进入以及形成中等强度的屏障抵御敌对投射物，持续20秒 |
|---|
| 明罚敕法战斗特性 | 明罚敕法战斗特性普通攻击射程200攻击速度0.56次每秒单体使用手中的盾牌攻击面前的目标，对其造成215%最终攻击的物理伤害战斗特性较易成为敌人的攻击目标，能更大范围的吸引敌人攻击自己受到炎元素伤害时，回复自身3%最大生命值自身位于炎元素区域时，格挡值提升25%异核I级解锁：主动技能【当关】命中的目标将会附着“燎原”状态，每秒受到100%最终攻击的炎元素伤害，同时降低敌人20%炎元素抗性，持续8秒异核III级解锁：编入队伍时，队伍内所有炎元素角色伤害提升15% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1600 海隅点数 4 贫质合金 |
| S2 | 4000 海隅点数 9 火山雪 6 单级磁导插件 |
| S3 | 9600 海隅点数 6 星砂 4 二元磁导插件 6 贫质合金 |
| S4 | 16000 海隅点数 9 卷礁 6 二元磁导插件 4 储源合金 |
| S5 | 24000 海隅点数 10 卷礁 5 复合磁导插件 6 储源合金 4 复色基粒 |
| S6 | 32000 海隅点数 4 万顷岩 10 复合磁导插件 5 稳态合金 6 复色基粒 |
| 总计 | 87200 海隅点数 6 单级磁导插件 9 火山雪 10 贫质合金 10 二元磁导插件 6 星砂 10 复色基粒 10 储源合金 15 复合磁导插件 19 卷礁 5 稳态合金 4 万顷岩 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 单级磁导插件 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 星砂 3 原旋动力机 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 储源合金 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 4 复合磁导插件 6 次生装置 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 3 单级磁导插件 3 原旋动力机 4 自旋因子 6 次生装置 9 星砂 8 储源合金 4 复合磁导插件 2 光子质 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 苍青薄片 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 储源合金 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 靛石 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 苍青薄片 4 二元磁导插件 4 复色基粒 6 靛石 3 储源合金 2 多矩推进器 |
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